IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZN08S7L177ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
پیکیج PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Half-Bridge (2 N-Channel)
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں