IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZN08S7L177ATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
دمای کاری -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Half-Bridge (2 N-Channel)
Qualification AEC-Q101 automotive —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت