IGD08N120S7ATMA1 vs IKD10N60RC2ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IKD10N60RC2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGD08N120S7ATMA1 | IKD10N60RC2ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | IGBTs | IGBTs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40C to +175C (industry grade) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) |
| Configuration | Single | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Collector-Emitter Voltage (V_CE) | — | 600 V |
| Continuous Collector Current (I_C nom) | — | 10 A |
| Pulsed Collector Current (I_Cp) | — | 18.8 A |
| Maximum Power Dissipation (P_tot) | — | 79 W |
| Integrated Diode | — | Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40 C to +175 C (junction) |
| Gate-Emitter Voltage (V_GE) | — | [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] |
| V_CE(sat) at I_C | — | [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] |
| Switching Frequency (typical) | — | 10 - 30 kHz (hard-switching) |
| Short-Circuit Withstand Time | — | [DATA_NEEDED: t_sc rating] |
| Qualification | — | Industrial (qualified per Infineon product validation) |