IGT65R025D2ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGT65R025D2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGT65R025D2ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Gen2 (G5) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 236 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 25 mΩ (typical, per MPN suffix) —
پیکیج PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss typical value] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near-zero (GaN characteristic) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
ہیلوجن فری — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں