IGT65R025D2ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IGT65R025D2ATMA1 מאת Infineon ו IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IGT65R025D2ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Gen2 (G5) —
סוג טרנזיסטור N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 236 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 25 mΩ (typical, per MPN suffix) —
מארז PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss typical value] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near-zero (GaN characteristic) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
נטול הלוגנים — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר