IGT65R025D2ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IGT65R025D2ATMA1 bằng Infineon và IPL60R105P7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IGT65R025D2ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Gen2 (G5) —
Kiểu transitor N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 236 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 25 mΩ (typical, per MPN suffix) —
Hộp PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss typical value] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near-zero (GaN characteristic) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Đông trùng haogen — Yes
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá