IKD06N60RATMA1 vs IGD06N60TATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IKD06N60RATMA1 بذریعہ Infineon اور IGD06N60TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 ✓ فعال
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IKD06N60RATMA1 IGD06N60TATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم IGBT - Trench Field Stop with anti-parallel diode —
Configuration Single with built-in diode —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C 12 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Maximum Power Dissipation 100 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) [DATA_NEEDED: VGE max rating] ±20 V
Technology TRENCHSTOP RC-IGBT3 (Reverse Conducting) —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical] —
Diode Forward Voltage (VF) at IF=6A [DATA_NEEDED: VF typical] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +150C (junction) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per FindIC listing) —
Switching Frequency Range (typical) 4 kHz to 20 kHz (hard-switching) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Integrated Diode — Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 °C to +175 °C
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں