IKD06N60RATMA1 vs IGD06N60TATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD06N60RATMA1 bằng Infineon và IGD06N60TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD06N60RATMA1 IGD06N60TATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor IGBT - Trench Field Stop with anti-parallel diode —
Configuration Single with built-in diode —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C 12 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Maximum Power Dissipation 100 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) [DATA_NEEDED: VGE max rating] ±20 V
Technology TRENCHSTOP RC-IGBT3 (Reverse Conducting) —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical] —
Diode Forward Voltage (VF) at IF=6A [DATA_NEEDED: VF typical] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +150C (junction) —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (2 + Tab) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per FindIC listing) —
Switching Frequency Range (typical) 4 kHz to 20 kHz (hard-switching) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Integrated Diode — Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40 °C to +175 °C
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá