IPB039N10N3GATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB039N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB039N10N3GATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 160 A | -100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 214 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 3.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd typ] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55 C to +175 C (TJ) |
| پیکیج | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS / Halogen-Free Status | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Series / Family | OptiMOS 3 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |