IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6N022ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB100N04S4H2ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 6, N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q100 (IAUC family)
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) — 2.2 mOhm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
Polarity — N-Channel enhancement mode
پن کی تعداد — 8
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — [DATA_NEEDED: total gate charge]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں