IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB100N04S4H2ATMA1 توسط Infineon و IAUC100N04S6N022ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB100N04S4H2ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 6, N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q100 (IAUC family)
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) — 2.2 mOhm
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
Polarity — N-Channel enhancement mode
تعداد پایه — 8
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — [DATA_NEEDED: total gate charge]
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت