IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R085P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R040CFD7ATMA1 IPL60R085P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 227 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں