IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPL60R085P7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R040CFD7ATMA1 IPL60R085P7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
פיזור הספק (TC=25°C) 227 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
טמפרטורת צומת פעולה — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר