IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC100N04S5L1R1ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC100N04S5L1R1ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS 7 Power-Transistor
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A 256 A
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
پیکیج PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8 (source-down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (per Infineon product page)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں