IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD50N10S3L16ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD50N06S409ATMA2 | IPD50N10S3L16ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD50N10S3L16ATMA1 |
| Series | — | OptiMOS-T |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 200 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | — | 100 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel |