IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R145CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R385CPATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R385CPATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
پیکیج TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CP (5th generation)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
پیکیج / کیس — PG-TO252-3 (DPAK)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں