IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPD60R385CPATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R385CPATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
نوع نصب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CP (5th generation)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی / کیس — PG-TO252-3 (DPAK)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت