IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R385CPATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
מארז TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
סוג הרכבה Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CP (5th generation)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר