IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD70R1K4P7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| MSL لیول | — | 1 |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |