IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD70R1K4P7SAUMA1 توسط Infineon و IPD60R280P7SAUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| سطح MSL | — | 1 |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |