IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD70R1K4P7SAUMA1 bằng Infineon và IPD60R280P7SAUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |