IPT004N03LATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT004N03LATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT004N03LATMA1 BSC050N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance RDS(on), max [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mΩ] —
On-Resistance RDS(on), typical 0.4 mΩ (typ) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total nC] —
Power Dissipation (Ta, 1in² PCB) 3.8 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 300 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (Tj) -55C to +150C
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TO-Leadless, source-down) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1
FET Type — N-Channel
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Technology — OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں