IPT030N12N3GATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT030N12N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE018N06NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT030N12N3GATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Channel Type N-Channel N-Channel
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Trench MOSFET, OptiMOS 6
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS اسٹیٹس Compliant with Exemption —
Channel Mode Enhancement —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں