IPW60R037P7XKSA1 vs IPW60R190C6FKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R190C6FKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R037P7XKSA1 IPW60R190C6FKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ P7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through-Hole
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) — 190 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 151 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 0.83 K/W
پن کی تعداد — 3 (+ tab)
MSL لیول — N/A (through-hole)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں