IPW60R037P7XKSA1 vs IPW60R190C6FKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPW60R037P7XKSA1 bằng Infineon và IPW60R190C6FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPW60R190C6FKSA1 - 600V CoolMOS C6 MOSFET 190mΩ TO-247 | Infineon
IPW60R190C6FKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPW60R037P7XKSA1 | IPW60R190C6FKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ P7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Hộp | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | TO-247-3 (PG-TO247-3-1) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through-Hole |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) | — | 190 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 151 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 0.83 K/W |
| Số chân | — | 3 (+ tab) |
| Cấp MSL | — | N/A (through-hole) |