IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE022N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-WHTFN-9 (5x6 mm)
پن کی تعداد 9 9 (PG-WHTFN-9)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (TC) — 151 A
Continuous Drain Current (TA) — 24 A
Maximum Power Dissipation (TC) — 100 W
Maximum Power Dissipation (TA) — 2.5 W
RDS(on) Maximum at VGS=10V — 2.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
Technology Family — OptiMOS 5

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں