IRF520NPBF vs IRF5210PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF520NPBF بذریعہ Infineon اور IRF5210PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF520NPBF | IRF5210PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55 C to +175 C (junction) |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | HEXFET (Fifth Generation) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | -40 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | -2 V to -4 V (typical -2 V) |
| On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V | — | 60 milliohms |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 200 W |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| Tab Connection | — | Electrically tied to Drain |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) |