IRF640NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF640NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF3710STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF640NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 86.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں