IRF640NSTRLPBF vs IRF3710STRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF640NSTRLPBF توسط Infineon و IRF3710STRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF640NSTRLPBF IRF3710STRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 86.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263), surface mount
نوع نصب Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت