IRF7306TRPBF vs IRF7351TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7306TRPBF IRF7351TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C 8 A
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V 17.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (junction) —
پیکیج 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں