IRF7306TRPBF vs IRF7351TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7306TRPBF توسط Infineon و IRF7351TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7306TRPBF IRF7351TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C 8 A
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V 17.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (junction) —
بسته‌بندی 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت