IRF8736TRPBF vs IRF8736PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF8736TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF8736PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF8736TRPBF IRF8736PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
پیکیج SO-8 (8-SO, MS-012AA) SO-8 (8-SO)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) Yes (fully characterized avalanche voltage and current)
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C — [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 4.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.0 mΩ (typical)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (optimized for 5 V drive)
Total Gate Charge Qg — 17 nC (typical)
Maximum Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — Lead-Free, RoHS3 Compliant
Qualification Standard — JEDEC

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں