IRFB3207ZPBF vs IPB019N08N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon اور IPB019N08N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB3207ZPBF IPB019N08N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220AB (3-lead through-hole) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL لیول N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں