IRFB3207ZPBF vs IPB019N08N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB3207ZPBF מאת Infineon ו IPB019N08N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB3207ZPBF IPB019N08N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז TO-220AB (3-lead through-hole) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
רמת MSL N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר