IRFB3306PBF vs IRFS3306PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3306PBF بذریعہ Infineon اور IRFS3306PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB3306PBF IRFS3306PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR HEXFET (MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 85 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55C to +175C
پیکیج TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes —
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں