IRFB4127PBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4127PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4127PBF | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRFB4127PBF | IRFB3207ZPBF |
| Technology | TrenchFET Gen 6 (HEXFET) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 76 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 100 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 375 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | TO-220AB (through-hole) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance) | — |
| Configuration | Single | — |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 120 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| پیکیج | — | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| MSL لیول | — | N/A (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |