IRFB4127PBF vs IRFB3207ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB4127PBF توسط Infineon و IRFB3207ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB4127PBF IRFB3207ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFB4127PBF IRFB3207ZPBF
Technology TrenchFET Gen 6 (HEXFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 76 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 100 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 375 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55 C to +175 C
بسته‌بندی / کیس TO-220AB (through-hole) —
نوع نصب Through Hole Through Hole
وضعیت RoHS Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance) —
Configuration Single —
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
بسته‌بندی — TO-220AB (3-lead through-hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
سطح MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت