IRFB4310PBF vs IRF1310NSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4310PBF بذریعہ Infineon اور IRF1310NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4310PBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7 mOhm | 36 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | 170 nC | 73.3 nC |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |