IRFH5015TRPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور IPP069N20NM6AKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFH5015TRPBF | IPP069N20NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | 15.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 136 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| پیکیج | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 6.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | N/A (through-hole package) |
| Tab Connection | — | Electrically connected to Drain |