IRFH5015TRPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFH5015TRPBF توسط Infineon و IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFH5015TRPBF | IPP069N20NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | 15.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 136 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| بسته‌بندی | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) |
| نوع نصب | Surface Mount | Through Hole |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| دمای کاری | -55C to +150C (TJ max) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 6.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |
| سطح MSL | — | N/A (through-hole package) |
| Tab Connection | — | Electrically connected to Drain |