IRFH5300TRPBF vs IRFH5015TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5300TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFH5300TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 40 A | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 336 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 50 nC | 33 nC |
| Power Dissition at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 250 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PQFN-8 (5x6 mm) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Gate Drive Level | Logic-level (5V optimized) | — |
| JEDEC Qualification | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (TJ max) |