IRFP2907PBF vs IRF7769L1TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP2907PBF بذریعہ Infineon اور IRF7769L1TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP2907PBF IRF7769L1TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Compliant
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
پلسڈ ڈرین کرنٹ — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
پیکیج — DirectFET Isometric L8
Package Profile — 0.7 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
MSL لیول — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں