IRFP3710PBF vs IRFB4110PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP3710PBF بذریعہ Infineon اور IRFB4110PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP3710PBF IRFB4110PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $1.55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET, Fifth Generation —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 57 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 200 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) Max 25 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge (Qg) Typical 66.7 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (Tj) —
پیکیج TO-247AC (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Avalanche Rating Fully Avalanche Rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt Rated —
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar DMOS)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں