IRFP3710PBF vs IRFB4110PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP3710PBF מאת Infineon ו IRFB4110PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFP3710PBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Series | HEXFET, Fifth Generation | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 57 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 25 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 66.7 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (Tj) | — |
| מארז | TO-247AC (3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rating | Fully Avalanche Rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt Rated | — |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |