IRFS3107TRLPBF vs IRFS3006TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3107TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFS3006TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3107TRLPBF IRFS3006TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) 195 A at Tc —
Continuous Drain Current (ID max) 230 A —
Power Dissipation (PD) 370 W at Tc —
RDS(on) Max 3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 160 nC 200 nC
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Drive Voltage (Max RDS(on)) 10 V —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Planar DMOS)
Configuration Single with built-in body diode —
پیکیج D2PAK (TO-263AB), 3-pin D2PAK (TO-263AB), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (Gull Wing) Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF / lead-free) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
MSL لیول — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں