IRFS3107TRLPBF vs IRFS3006TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFS3107TRLPBF par Infineon et IRFS3006TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFS3107TRLPBF IRFS3006TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,75 $1,40
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) 195 A at Tc —
Continuous Drain Current (ID max) 230 A —
Power Dissipation (PD) 370 W at Tc —
RDS(on) Max 3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 160 nC 200 nC
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Drive Voltage (Max RDS(on)) 10 V —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Planar DMOS)
Configuration Single with built-in body diode —
Boîtier D2PAK (TO-263AB), 3-pin D2PAK (TO-263AB), surface mount
Type de montage Surface Mount (Gull Wing) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant (PBF / lead-free) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
Niveau MSL — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis