IRFS3107TRLPBF vs IRFS3006TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFS3107TRLPBF por Infineon e IRFS3006TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFS3107TRLPBF IRFS3006TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,75 $1,40
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) 195 A at Tc —
Continuous Drain Current (ID max) 230 A —
Power Dissipation (PD) 370 W at Tc —
RDS(on) Max 3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 160 nC 200 nC
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Drive Voltage (Max RDS(on)) 10 V —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Planar DMOS)
Configuration Single with built-in body diode —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB), 3-pin D2PAK (TO-263AB), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount (Gull Wing) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant (PBF / lead-free) —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
Nível MSL — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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