IRFZ24NPBF vs IRF640NSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ24NPBF بذریعہ Infineon اور IRF640NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFZ24NPBF | IRF640NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ± 20 V | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 70 mOhm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | 44.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 45 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through hole) | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount (Tape and Reel) |
| Technology | HEXFET planar cell | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) |
| Switching Frequency Range | Optimized for < 100 kHz | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 18 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.15 ohm |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Lead-Free (PbF) | — | Yes |