IRFZ48NPBF vs IRL3705NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NPBF بذریعہ Infineon اور IRL3705NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NPBF IRL3705NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) HEXFET (planar cell, fifth generation)
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per PBF suffix)
Qualification Standard Industrial market —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 89 A
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc — 170 W
On-Resistance R_DS(on) — 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V)
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — 65.3 nC
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Rated — Yes (ruggedized single-pulse avalanche)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں