IRLML6346TRPBF vs IRLML0030TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML6346TRPBF IRLML0030TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 Micro3 / SOT-23 (3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR HEXFET Power MOSFET
MSL لیول 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں